H5AN8G6NDJR-XNC

H5AN8G6NDJR-XNC, SK hynix tarafından üretilen bir DDR4 Dinamik Rastgele Erişim Bellek (DRAM) yongusudur.

Depolama kapasitesi:

• Kapasite: 8Gb (yani 1GB), 512Mx16 mimarisi ile elde edilir.

Teknik özellikler:

• Tip: DDR4 SDRAM
• Hız: Kaynağa bağlı olarak, hızlar değişebilir, ancak genellikle yüksek hızlı veri aktarımını destekler.Ancak lütfen, ürün partileri veya uygulama ortamları nedeniyle spesifik hızların farklı olabileceğini unutmayın..
• Çalışma Voltajı: 1.2V

Paket Formu:

• Paket: Fine-Pitch Ball Grid Array (FBGA), özellikle 96 toplu bir FBGA paketi.

Sıcaklık aralığı:

• Çalışma sıcaklığı: Kaynağa bağlı olarak, sıcaklık aralığı hafifçe değişebilir.Diğerleri ise sıcaklık özelliklerinin 0°C'den +95°C'ye kadar ulaşabileceğini belirtiyor.Bu, geniş bir ortam sıcaklığı aralığında istikrarlı bir şekilde çalışabileceğini gösterir.

Çevre Özellikleri:

• RoHS (Tehlikeli Maddelerin Sınırlanması) standartlarına uygun, üretim sırasında zararlı maddelerin kullanımının azalttığını ve çevresel gereksinimleri karşıladığını gösterir.

Diğer parametreler:

• Parti Numarası: Piyasadaki mevcutluğa bağlı olarak, parti numaraları değişebilir.
• Üretici: SK hynix

Lütfen yukarıdaki parametrelerin ürün partileri, piyasa kullanılabilirliği veya özel uygulama ortamları nedeniyle değişebileceğini unutmayın.SK hynix ile doğrudan veya ilgili tedarikçilerle görüşmeniz önerilir..

Ek olarak, DDR4 DRAM yongalarının performansı zamanlama parametreleri (örneğin, CAS gecikmesi, RAS-CAS gecikmesi), güç tüketimi özellikleri (örneğin,Çalışma gücüBu faktörler çipin veri sayfasında veya teknik özelliklerinde daha ayrıntılı olarak tanımlanmıştır.