MMRF1314HR5

MMRF1314HR5, NXP tarafından üretilen, özellikle yüksek güçlü RF uygulamaları için tasarlanmış bir RF güç transistörüdür.

Temel parametreler

• Ürün Türü: RF MOSFET Transistörleri (Radyo Frekansı Metal-Oksit-Yarı İletken Alan Etkisi Transistörleri)
• Üreticisi: NXP
• Kutupluk: N-Kanal
• Paket: SOT1787
• Teknoloji: LDMOS (Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor)

Elektriksel parametreler

• Çalışma sıklığı: 1200 ila 1400 MHz
• Çıkış Gücü: 1000 W (Sırt)
• Tipik Kazanç (dB): 15.5 dB @ 1200 MHz (Özel kazanç frekansla değişebilir)
• Çekilme Kaynağı Çökme Voltajı (Vds): Doğrudan belirtilmemiştir, ancak LDMOS transistörleri genellikle yüksek kırılma voltajlarına sahiptir.
• Sürekli akış akımı (Id): Doğrudan belirtilmemiş, ancak uygulama ve tasarım gereksinimleri ile belirlenmiştir
• Kapı-kaynak voltajı (Vgs): -6 V'den +10 V'ye kadar (kapı voltajı kontrol aralığı)
• Güç dağılımı (Pd): Doğrudan belirtilmemiş, ancak yüksek güç uygulamaları için iyi bir ısı dağılımı tasarımı gerektirir.

Çalışma sıcaklığı

• Maksimum çalışma sıcaklığı: +150°C
• Asgari çalışma sıcaklığı-40°C

Uygulama Özellikleri

• Geniş Bant Uygulamaları: Konforlu geniş bant işleyişi ve kullanımı için iç giriş ve çıkış eşleşmesi
• Yapılandırma Esnekliği: Tek uçlu, itme-çekme veya kare yapılandırmalarında kullanılabilir
• Yüksek dayanıklılık: Patlama uygulamaları için uygundur, özellikle yüksek güç askeri ve ticari L bantlı radar uygulamalarında mükemmel

Ek Bilgiler

• Paket/Konuş: Yüzey Montajı Teknolojisi için uygun SMD/SMT (Yüzey Montajı Cihazı/Yüzey Montajı Teknolojisi) ambalajları
• Paketleme miktarı: Tipik olarak birim başına belirli miktarlarda (örneğin, 50 parça) paketlenir